같은 패키지 안에서 신호는 두 갈래로 흐른다. 칩끼리·메모리와의 고밀도 연결은 실리콘 다리(LSI)를 거치고, 전력·외부 I/O는 유기물 RDL을 타고 아래 기판·보드로 빠져나간다.
분업의 핵심 — 고밀도 내부 연결은 실리콘 다리(LSI)로 위·가로, 전력·외부 I/O는 유기물 RDL을 타고 아래·밖으로. 외부 경로는 미세 피치가 필요 없어 값싼 유기물로 충분하다. 비싼 실리콘은 꼭 필요한 내부 연결에만 — 이게 CoWoS-L 하이브리드의 본질.
HBM↔연산칩은 양방향 — 쓰기(연산칩→HBM)와 읽기(HBM→연산칩)가 같은 다리·TSV를 공유한다. 시안 펄스 두 개가 서로 반대로 흐르는 게 그 모습이며, AI에서는 가중치를 불러오는 읽기(HBM→연산칩)가 특히 빈번하다.
연산칩 A↔B도 양방향 — die-to-die 링크(약 10 TB/s)도 한쪽이 아니라 양쪽으로 동시에 오간다. 그리고 외부 I/O·전력은 두 칩 모두에서 빠져나간다(주황 경로 2개) — 각 다이가 전력을 따로 받고, 외부 I/O도 패키지 전체에 분산되기 때문.