칩 표면에 마이크로 범프(초소형 땜납 돌기)를 세우고, 재배선층(RDL)으로 신호를 원하는 위치로 끌어낸다. 수천 개의 초미세 배선이 만들어지는 단계.

실리콘 인터포저에 수직 관통 배선(TSV)을 뚫어 위·아래 층을 연결한다. 여러 칩을 초근접·초고밀도로 잇는 CoWoS의 '고속도로' 역할.

GPU 로직과 HBM 메모리 스택을 인터포저 위에 나란히 초근접 배치·접합한다(Chip-on-Wafer). HBM은 다이를 수직으로 여러 장 쌓아 대역폭을 확보한다.

휨(warpage)은 특정 부품 하나가 아니라, CoWoS 패키지 + FC-BGA 기판이 붙은 조립체 전체가 열팽창 차이(CTE mismatch)로 휘는 현상이다. 그림의 점선(평면 기준)에서 벗어난 편차가 곧 휨량 — 실리콘(패키지)과 유기 기판의 소재 차이가 클수록, 패키지가 커질수록 커진다.