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Concept · CoWoS

CoWoS 패키징 개념 정리

TSMC의 2.5D 첨단 패키징 플랫폼 CoWoS의 세 가지 분기 — Interposer 방식에 따라 L·R·S로 나뉩니다. 각 카드에서 구조와 용도를 확인하세요.

기본 구조

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CoWoS 기본 구조
칩을 잘 만드는 시대에서 잘 붙이는 시대로 — CoWoS가 무엇이고 왜 필요한지, Chip-on-Wafer-on-Substrate의 기본 구조와 산업적 맥락을 큰 그림으로 정리합니다. S·R·L 분기를 보기 전에 먼저 읽어보세요.
개요 2.5D 패키징 산업 스터디
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CoWoS 패밀리

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CoWoS-L
LSI(Local Silicon Interconnect) 브릿지와 RDL을 결합한 하이브리드 인터포저. 대면적 멀티칩렛 통합에 유리해 차세대 AI 가속기의 주력 방식.
LSI 브릿지 Chiplet 대면적
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CoWoS-R
유기 RDL(Redistribution Layer) 인터포저 기반. 실리콘 인터포저 대비 저비용·고유연성으로 비용 효율적인 멀티칩 통합을 지원.
RDL 유기 기판 저비용
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CoWoS-S
실리콘 인터포저를 사용하는 표준(Standard) 방식. 가장 성숙한 양산 기술로 HBM과 로직 다이를 고대역폭으로 연결, 현 세대 AI 칩의 기반.
Si 인터포저 HBM 양산 성숙
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패널 레벨 · CoPoS

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CoPoS — 웨이퍼에서 패널로
CoWoS는 300mm 원형 웨이퍼의 5.5x reticle이 물리적 상한. CoPoS(Chip on Panel on Substrate)는 사각 패널로 이 벽을 넘어 8x+ reticle과 12+ HBM 스택을 겨냥하는 대형화의 다음 챕터입니다.
패널 레벨 8x+ Reticle 차세대
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대안 기술 · OSAT

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OSAT 패키징 기술
TSMC CoWoS 밖의 대안 — OSAT(ASE·Amkor 등)가 미는 4대 기술 FOCoS · FOCoS-Bridge · SWIFT · CoWoP를 구조·용도·장단점으로 한눈에 비교합니다.
OSAT FOCoS · SWIFT 기술 비교
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